SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態隨機存儲器）也就是通常所說的內存。內存的工作原理、控制時序、及相關控制器的配置方法一直是嵌入式系統學習、開發過程中的一個難點。我們從其硬件的角度來分析其原理，然後再引出SDRAM的驅動編寫過程。
內存是代碼的執行空間，以PC機為例，程序是以文件的形式保存在硬盤裡面的，程序在運行之前先由操作系統裝載入內存中，由於內存是RAM（隨機訪問存儲器），可以通過地址去定位一個字節的數據，CPU在執行程序時將PC的值設置為程序在內存中的開始地址， CPU會依次的從內存裡取址，譯碼，執行，在內存沒有被初始化之前，內存好比是未建好的房子，是不能讀取和存儲數據的，因此我們要想讓MTOS運行在內存裡必須進行內存的初始化。
通用存儲設備：
在介紹內存工作原理之前有必要了解下存儲設備的存儲方式：ROM，RAM
l ROM(Read-Only Memory)：只讀存儲器，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，資料並且不會因為電源關閉而消失。如：PC裡面的BIOS。
l RAM(Random Access Memory) ：隨機訪問存儲器，存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。可以理解為，當你給定一個隨機有效的訪問地址，RAM會返回其存儲內容(隨機尋址)，它訪問速度與地址的無關。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間內隨機訪問使用的程序。計算機系統裡內存地址是一個四字節對齊的地址（32位機），CPU的取指，執行，存儲都是通過地址進行的，因此它可以用來做內存。
RAM按照硬件設計的不同，隨機存儲器又分為DRAM（Dynamic RAM)動態隨機存儲器和SRAM（Static RAM) 靜態隨機存儲器。
l DRAM：它的基本原件是小電容，電容可以在兩個極板上短時間內保留電荷，可以通過兩極之間有無電壓差代表計算機裡的0和1，由於電容的物理特性，要定期的為其充電，否則數據會丟失。對電容的充電過程叫做刷新，但是制作工藝較簡單，體積小，便於集成化，經常做為計算機裡內存制作原件。比如：PC的內存，SDRAM, DDR, DDR2, DDR3等，缺點：由於要定期刷新存儲介質，存取速度較慢。
l SRAM：它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。因此其存取速度快，但是體積較大，功耗大，成本高，常用作存儲容量不高，但存取速度快的場合，比如CPU的L1 cache，L2cache(一級，二級緩存) ，寄存器。
為了滿足開發的需要MINI2440在出廠時搭載了三種存儲介質：
（1）NOR FLASH（2M）：ROM存儲器，通常用來保存BootLoader，引導系統啟動
（2）NAND FLASH（256M，型號不一樣，Nandflash大小不一樣）：保存操作系統映像文件和文件系統
（3）SDRAM（64M）：內存，執行程序
l NOR FLASH：它的特點是支持XIP芯片內執行（eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中，也就是說可以隨機尋址。NOR FLASH的成本較高。
l NAND FLASH：它能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。其成本較低，不支持XIP。可做嵌入式裡的數據存儲介質。如：手機存儲卡，SD卡等。
S3C2440對外引出了27根地址線ADDR0~ADDR26，它最多能夠尋址128MB，而S3C2440的尋址空間可以達到1GB，這是由於S3C2440將1GB的地址空間分成了8個BANKS（Bank0~Bank7），其中每一個BANK對應一根片選信號線nGCS0~nGCS7，當訪問BANKx的時候，nGCSx管腳電平拉低，用來選中外接設備， S3C2440通過8根選信號線和27根地址線，就可以訪問1GB。如圖2-48所示。
圖2-48 S3C2440存儲器BANK
如圖所示，左側圖對應不使用Nandflash啟動時(通過跳線設置)，存儲器Bank分布圖，通常在這種啟動方式裡選擇Norflash啟動，將Norflash焊接在Bank0， 系統上電後，CPU從Bank0的開始地址0x00000000開始取指運行。
上圖右側是選擇從Nandflash引導啟動(通過跳線設置)，系統上電後，CPU會自動將Nandflash裡前4K的數據復制到S3C2440內部一個4K大小 SRAM類型存儲器裡（叫做Steppingstone），然後從Steppingstone取指啟動。
