1.引導鏡像區 0x0000_0000~0x07FF_FFFF
2.內部存儲區
(1) 內部ROM 0x0800_0000~0x0BFF_FFFF
(2) 內部SRAM 0x0C00_0000~0x0FFF_FFFF
3.靜態存儲區 0x1000_0000~0x3FFF_FFFF
4.動態存儲區 0x4000_0000~0x6FFF_FFFF
S3C6410的物理內存分成Memory和Pheriperal兩部分，地址范圍分別為0x0~0x6fffffff和0x7fffffff。系統通過 SPINE總線訪問Memory空間，通過PERI總線訪問Pheriperal空間。而為了適應不同外設的訪問速度，又分別通過AHB總線訪問LCD、 Camera、Accelerator等高速外設，通過APB總線訪問iic、watchdog等低速外設。
3.2內存
Memory，又叫主內存，分為4大區域，分別是啟動鏡像區、內部內存區、靜態內存區、動態內存區。
啟動鏡像區物理地址為0x00000000~0x07ffffff，共128MB。這個區域的作用正如它的名字所述，是用來啟動系統的。但是這個范圍內並沒有實際的存儲 介質與之對應，只能在通過OM[4:0]選擇具體的啟動介質後再把相應介質的物理地址映射到這個啟動區，比如說選擇了IROM 啟動方式後，就把IROM所占的地址空間映射為0x00000000開始的空間。
內部內存區物理地址為0x08000000~0x0fffffff，共128MB。這個區域對應著內部的內存地址，內部的ROM和SRAM都是分布在這個區間。其中，0x08000000~0x0bffffff對應著內部ROM，當然實際上內部的ROM也並沒有64MB這麼多，只有32KB是有實際存儲介質的，這32KB是一個只讀區，放的是IROM方式下的啟動代碼，選擇IROM啟動的時候首先運行 的代碼就是這一部分，稱為BL0，這部分代碼由廠家固化。0x0c000000~0x0fffffff對應內部SRAM，實際可用的SRAM按照三星的手冊是4KB，其實這就是用於nand flash啟動的Steppingstone（但是這個Steppingstone是8KB，這2者似乎有矛盾，不知道是不是我的理解不對）。
靜態內存區物理地址為0x10000000~0x3fffffff，共6*128MB。這個區域用於訪問掛在外部總線上的設備，比如說SRAM、NOR flash、oneNand等。這個區域被分割為6個bank，每個bank為128MB，數據寬度最大支持16bit，每個bank通過 Xm0CS[5:0]來劃定。和S3C2410 不一樣的是，bank2~bank5能映射到nand flash、CF等非線性存儲器，這並不是說可以通過bank2~bank5的地址段就能直接訪問nand flash、CF內部的地址，相反，當映射到這些器件的時候這些bank的地址也不能再使用了，訪問這些非線性存儲器還是得通過Pheriperal空間的AHB總線進行，和S3C2410中的訪問方式是一樣的。不過有一個特例是，當Xm0CS2被映射到nand flash的時候，Steppingstone的4KB（or 8K？）SRAM被映射到bank2開始的4KB，而在以nand flash方式啟動的時候bank2被映射到0x00000000開始的地方，實際上就是把Steppingstone映射到0x0000000了，這和 S3C2410的情況還是相似的。
動態內存區物理地址為0x40000000~0x6fffffff，共3*256MB。其中第一個256MB為保留區，實際使用的動態內存區為 0x50000000~0x6fffffff，又分為2個區間，分別占256MB，可以通過DMC的Xm1CS[1:0]來進行著2個區間的選擇。這個內存區主要是擴展DRAM，最大可以擴展512MB的DRAM。
