Flash存儲技術
在過去的二十年裡,ROM和EPROM一直是嵌入式系統的存儲設備的首選。但是,今天越來越多的嵌入式系統設計者采用Flash這種可讀寫的存儲設備進行設計開發。
Flash主要分為NOR和NAND兩類。NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel於1988年首先開發出NOR Flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND Flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,並且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。
NOR的特點是芯片內執行(XIP, eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在Flash閃存中運行,而不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,並且寫入和擦除的速度也很快。但應用NAND的困難在於Flash的管理需要特殊的系統接口。
但是歷經十多年之後,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。因為大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼,這時NOR閃存更適合一些。“Flash存儲器”便經常與“NOR存儲器”互換使用。但NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
下面對二者作較為詳細的比較: